Hochauflösende Gefügecharakterisierung mit Auflösungen bis zu 1.000.000x.
Unterschiedliche Elektronen- und Ionen-Kontrastes, EBSD Kristallinformationsmessung
Messung der Kristallstruktur mittels EBSD vom cm Bereich bis hin zu 20-30nm kleinen Strukturen
Vermessung der lokalen chemischen Zusammensetzung sowie Elementverteilungen und Partikelanalysen (EDX, WDX, RFA, FIB-SIMS (TOF))
Hochauflösende Dokumentation der Umwandlungskinetik einzelner Phasenfraktionen.
Insitu Heiz- und Kühlexperimente im Rasterelektronenmikroskop.
Temperaturbereich -180°C bis 1045°C
Heizraten:-
180°C bis 400°C max. 20°C/min
250°C bis 1045 °C max. 250°/min
Temperaturabhängige Eigenspannungsmessung an Beschichtungen.
Analytik mit unterschiedlichen Detektoren (u.a. EBSD).
Hochauflösende 3-dimensionale Darstellung und Vermessung von Konturen oder Gefügeebestandteilen.
3D-Topographie von Konturen, Schädigungen u.ä. inkl. Vermessung im mm bis sub-μm Bereich.
3D- Tomographie von Gefügebestandteilen durch die Slive&View-Methode inkl. Vermessung der lokalen Chemie und Struktur.
Unterschiedliche Elektronen- und Ionen-Kontrastes, EBSD Kristallinformationsmessung, 3D chemische Elementverteilungen und Tiefenprofilen (EDX, EBSD und FIB-SIMS (TOF))
